Морфологія поверхні та електричні властивості гібридних структур, сформованих на основі шаруватого напівпровідника з нанорозмірними сегнетоелектричними включеннями Au/Ni/<C>/n-Ga2O3/p-GaSe<KNO3>

Бахтинов, А.П. та Водопьянов, В.Н. та Нетяга, В.В. та Кудринский, З.Р. та Литвин, Оксана Степанівна (2012) Морфологія поверхні та електричні властивості гібридних структур, сформованих на основі шаруватого напівпровідника з нанорозмірними сегнетоелектричними включеннями Au/Ni/<C>/n-Ga2O3/p-GaSe<KNO3> Физика и техника полупроводников, 46 (3). с. 356-368. ISSN 0015-3222

[img]
Перегляд
Текст
A_Bakhtinov_V_Vodopyanov_V_Netyaga_Z_Kudrynskyi_O_Lytvyn_FTP_2012_v46_IS.pdf

Download (1MB) | Перегляд
Офіційне посилання: http://journals.ioffe.ru/ftp/

Анотація

Методом атомно-силової мікроскопії досліджено особливості формування гібридних наноструктур Au/Ni/<C>/n-Ga2O3 на ван-дер-Ваальсовій поверхні(0001)композитних наноструктур "шаруватий напівпровідник - сегнетоелектрик" (p-GaSe<KNO3>). При кімнатній температурі досліджено вольт-амперні характеристики і залежність імпедансного спектру гібридних структур від напруги зсуву. На вольт-амперній характеристиці спостерігаються резонансний пік і ділянка з негативним диференціальним опором. Струм на цій характеристиці досягає максімальногоо значення при певному значенні прикладеної напруги зсуву, коли відбувається перемикання електричної поляризації в нанорозмірних тривимірних включеннях у шаруватій матриці GaSe. В області високих частот (f>10 6 Гц) виявлений імпеданс індуктивного типу (велика негативна ємність структур, ~ 10-6 Ф/мм2). Цей ефект пов'язаний з транспортом спін-поляризованих електронів в послідовно з'єднаних між собою напівпровідникової композитної наноструктурі з множинними квантовими ямами p-GaSe<KNO3> і прямо зміщеному поляризаторі "феромагнітний метал-напівпровідник" (Au/Ni/<C>/n+ - Ga2O3/n-Ga2O3). На вольт- амперних характеристиках структур виявлений зсув максимуму (гістерезис струму) при різних напрямках зміни напруги зміщення

Тип елементу : Стаття
Ключові слова: шаруватий напівпровідник; сегнетоелектрик; нановключення; вольт-амперна характеристика; атомно-силова мікроскопія
Типологія: Статті у журналах > Наукові (входять до інших наукометричних баз, крім перерахованих, мають ISSN, DOI, індекс цитування)
Підрозділи: Інститути > Інститут суспільства > Кафедра інформаційних технологій і математичних дисциплін > Кафедра інформатики
Користувач, що депонує: Оксана Степанівна Литвин
Дата внесення: 11 Жов 2013 07:17
Останні зміни: 25 Лист 2015 08:53
URI: http://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/2377

Actions (login required)

Перегляд елементу Перегляд елементу