Електронні стани на поверхні кремнію після напилення та відпалу плівки SiOx

Власенко , Н.А. та Олексенко, П.Ф. та Денисова, З.Л. та Сопинский, Н.В. та Велигура, Л.И. та Гуле, Е.Г. та Литвин, Оксана Степанівна та Мухльо, М.А. (2011) Електронні стани на поверхні кремнію після напилення та відпалу плівки SiOx Физика и техника полупроводников, 45 (5). с. 596-601. ISSN 0015-3222

[img]
Перегляд
Текст
N_Vlasenko_P_Oleksenko_Z_Denisova_etc_FTP_2011_v45_IS.pdf

Download (823kB) | Перегляд
Офіційне посилання: http://journals.ioffe.ru/ftp/

Анотація

З метою з'ясування діаграми енергетичних зон на межі c-Si-SiOx та зміни електронних станів після відпалу плівки досліджений спектр фотопровідності, яка виникає в поляризаційному полі заряду на поверхневих станах і пастках в об'ємі плівки. Встановлено, що на інтерфейсі Si-SiOx енергетичні зони викривлені, причому поверхня Si збагачена електронами. У рівноважному стані максимум фотоструму при 1.1 еВ обумовлений зона - зонними переходами в кремнієвій частині інтерфейсу. Відпал викликає зсув максимуму до великих енергій, який збільшується при підвищенні температури відпалу від 650 до 1000 ◦C. Це супроводжується зменшенням фотоструму при ≤ 1.1еВ і послабленням крайової фотолюмінесценції поблизу поверхні Si. Виявлені зміни пояснені утворенням при відпалі на межі Si-SiOx шару оксиду з нанокластерами Si в результаті дифузії кисню з плівки SiOx, яка проходить переважно по дефектах на поверхні пластини Si. У спектрі фотопровідності зразків, заряджених шляхом короткочасного прикладання напруги з полярністю "мінус" на Si, виявлені електронні переходи в плівці SiOx, що відбуваються як в самій матриці, так і за участю дефектів і нанокластерів Si, наявних в ній.

Тип елементу : Стаття
Ключові слова: кремній; оксид кремнію; відпал; енергетичні стани; енергетична зона; фотопровідність
Типологія: Статті у журналах > Наукові (входять до інших наукометричних баз, крім перерахованих, мають ISSN, DOI, індекс цитування)
Підрозділи: Інститути > Інститут суспільства > Кафедра інформаційних технологій і математичних дисциплін > Кафедра інформатики
Користувач, що депонує: Оксана Степанівна Литвин
Дата внесення: 18 Груд 2013 17:47
Останні зміни: 25 Лист 2015 08:53
URI: http://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/2875

Actions (login required)

Перегляд елементу Перегляд елементу