Оптичні властивості тонких плівок GaSe/n-Si(111)

Киселюк, М.П. та Власенко, А.И. та Генцарь, П.А. та Вуйчик, Н.В. та Заяц, Н.С. та Кругленко , И.В. та Литвин, Оксана Степанівна та Криськов, Ц.А. (2010) Оптичні властивості тонких плівок GaSe/n-Si(111) Физика и техника полупроводников, 44 (8). с. 1046-1049. ISSN 0015-3222

[img]
Перегляд
Текст
M_Kysselyuk_O_Vlasenko_P_Gentsar_FTP_2010_v44_IS.PDF - Опублікована версія

Download (834kB) | Перегляд
Офіційне посилання: http://journals.ioffe.ru/ftp/

Анотація

Проведено морфологічні та оптичні (еліпсометрія, спектри відбиття в діапазоні 400 - 750 нм і спектри відбиття в діапазоні 1.4 - 25 мкм) дослідження тонких плівок GaSe товщиною 15 - 60 нм , отриманих методом термічного напилення на підкладках з монокристалічного кремнію n - Si ( 111 ). Встановлено, що на початковому етапі росту має місце острівцевий (тривимірний) ріст GaSe на підкладках n - Si (111). Показано зміну фізичних параметрів плівок по мірі збільшення товщини і наближення з точки зору кристалічної та енергетичної зонної структури тонких плівок до монокристалів. Для плівок товщиною 60 нм максимум смуги відбиття пояснений непрямими оптичними переходами, підсиленими екситонною взаємодією . У результатах оптичних досліджень прогнозується прояв квантових ефектів в приповерхневій області тонких плівок.

Тип елементу : Стаття
Ключові слова: тонкі плівки GaSe; еліпсометрія; морфологія; атомно-силова мікроскопія
Типологія: Статті в журналах > Наукові (входять до інших наукометричних баз, крім перерахованих, мають ISSN, DOI, індекс цитування)
Підрозділи: Інститути > Інститут суспільства > Кафедра інформаційних технологій і математичних дисциплін > Кафедра інформатики
Користувач, що депонує: Оксана Степанівна Литвин
Дата внесення: 13 Січ 2014 11:08
Останні зміни: 20 Лист 2015 10:21
URI: http://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/3081

Actions (login required)

Перегляд елементу Перегляд елементу