Відбивання тонких плівок GaSe/n-Si (100) та GaSe/n-Si (111)

Киселюк, М.П. та Власенко, О.І. та Генцарь, П.О. та Вуйчик, Н.В. та Заяц, М.С. та Кругленко, І.В. та Литвин, Оксана Степанівна та Криськов, Ц.А. (2010) Відбивання тонких плівок GaSe/n-Si (100) та GaSe/n-Si (111) Фізика і хімія твердого тіла, 11 (3). с. 604-609. ISSN 1729-4428

[img]
Перегляд
Текст
M_Kysselyuk_O_Vlasenko_P_Gentsar_etc_PhChSS_2010_v11_IS.pdf

Download (1MB) | Перегляд
Офіційне посилання: http://www.pu.if.ua/inst/phys_che/start/pcss/

Анотація

В даній роботі проведено морфологічні та оптичні (еліпсометрія, спектри відбивання в діапазоні 400-750 нм та спектри відбивання в діапазоні 1,4-25 мкм) дослідження тонких плівок GaSe товщиною 15-60 нм на підкладках із монокристалічного кремнію n-Si(100) та n-Si(111) вирощених методом термічного напилення. Показано: зміну фізичних параметрів тонких плівок та наближення кристалічної і енергетичної зонної структури тонких плівок до монокристалів. Для плівок товщиною 60 нм максимум смуги відбивання пояснено непрямими оптичними переходами (оптична ширина забороненої зони E0 плівки GaSe) підсиленими екситонною взаємодією. В оптичних дослідженнях виявлено прояв квантових ефектів в приповерхневій області тонких плівок. Показано, що на початковому етапі росту має місце острівковий (трьохмірний) ріст плівок GaSe на підкладках n-Si (100) та n-Si (111).

Тип елементу : Стаття
Ключові слова: GaSe; тонкі плівки; атомно-силова мікроскопія; відбивання; еліпсометрія
Типологія: Статті у журналах > Фахові (входять до переліку фахових, затверджений МОН)
Підрозділи: Інститути > Інститут суспільства > Кафедра інформаційних технологій і математичних дисциплін > Кафедра інформатики
Користувач, що депонує: Оксана Степанівна Литвин
Дата внесення: 24 Черв 2014 08:41
Останні зміни: 19 Січ 2017 10:01
URI: http://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/3339

Actions (login required)

Перегляд елементу Перегляд елементу