Позитивний фоторезист GeSe3 для мікропрофілювання поверхонь при створенні сенсорних структур

Минько, В.І. та Шепелявий, П.Є. та Данько, В.А. та Індутний, І.З. та Луканюк, М.В. та Литвин, Оксана Степанівна (2013) Позитивний фоторезист GeSe3 для мікропрофілювання поверхонь при створенні сенсорних структур In: II Міжнародна науково - практична конференція «Напівпровідникові матеріали, інформаційні технології та фотовольтаїка», 22 - 24 травня 2013 р, Украъна, Кременчук, Кременчуцький національний університет імені М ихайла Остроградського.

[img]
Перегляд
Текст
V_Minko_P_Shepelyavyy_V_Danko_etc_NMITF-2013__IS.pdf

Download (337kB) | Перегляд
Офіційне посилання: http://nmitf.kdu.edu.ua/index.php/ua/materialy-kon...

Анотація

Представлено результати досліджень можливого використання безмиш‘якової халькогенідної сполуки GeSe3 як позитивного фоторезисту для процесу інтерференційної фотолітографії.

Тип елементу : Доповідь на конференції чи семінарі (Тези)
Ключові слова: халькогеніди; GeSe3; фоторезист; фотолітографія; атомно-силова мікроскопія
Типологія: Наукові конференції > Міжнародні
Підрозділи: Інститути > Інститут суспільства > Кафедра інформаційних технологій і математичних дисциплін > Кафедра інформатики
Користувач, що депонує: Оксана Степанівна Литвин
Дата внесення: 24 Черв 2014 09:08
Останні зміни: 20 Лист 2015 12:35
URI: http://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/3476

Actions (login required)

Перегляд елементу Перегляд елементу