Конакова, Р.В. та Коломис, А.Ф. та Литвин, Оксана Степанівна та Охрименко, О.Б. та Стрельчук, В.В. та Светличный , А.В. та Линец, Л.Г. (2012) Перетворення структури SiC/por-SiC/TiO2 в процесі швидкого термічного відпалу Физика и техника полупроводников, 46 (9). с. 1244-1247. ISSN 0015-3222
Перегляд |
Текст
R_Konakova_O_Kolomys_O_Lytyvn_etc_FTP_2012_v46_IS.pdf Download (370kB) | Перегляд |
Анотація
Проведено дослідження морфології поверхні, спектрів комбінаційного розсіювання світла і фотолюмінесценції структур SiC/por-SiC/TiO2 до і після швидкої термічної обробки. Показано, що швидка термічна обробка призводить до появи у спектрах комбінаційного розсіяння смуг, характерних для сполук вуглецю. Аналіз спектрів фотолюмінесценції, яка збуджується випромінюванням з енергією, меншою ширини забороненої зони в 6H-SiC, показав, що поява фотолюмінесценції в пористому карбіді кремнію пов'язана з домішковими станами, які утворюються на поверхні за рахунок продуктів хімічних реакцій при травленні.
| Тип елементу : | Стаття |
|---|---|
| Ключові слова: | карбід кремнію; швидкий термічний відпал; морфологія поверхні; фотолюмінесценція; комбінаційне розсіяння світла |
| Типологія: | Це архівна тематика Київського університету імені Бориса Грінченка > Статті у журналах > Наукові (входять до інших наукометричних баз, крім перерахованих, мають ISSN, DOI, індекс цитування) |
| Підрозділи: | Це архівні підрозділи Київського університету імені Бориса Грінченка > Кафедра інформатики |
| Користувач, що депонує: | Оксана Степанівна Литвин |
| Дата внесення: | 26 Вер 2013 13:36 |
| Останні зміни: | 25 Лист 2015 08:54 |
| URI: | https://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/2227 |
Actions (login required)
 |
Перегляд елементу |