Reflection GaSe/n-Si (100) and GaSe/n-Si (111) Thin Films

Киселюк, М.П. and Власенко, О.І. and Генцарь, П.О. and Вуйчик, Н.В. and Заяц, М.С. and Кругленко, І.В. and Литвин, Оксана Степанівна and Криськов, Ц.А. (2010) Reflection GaSe/n-Si (100) and GaSe/n-Si (111) Thin Films Фізика і хімія твердого тіла, 11 (3). pp. 604-609. ISSN 1729-4428

[img]
Preview
Text
M_Kysselyuk_O_Vlasenko_P_Gentsar_etc_PhChSS_2010_v11_IS.pdf

Download (1MB) | Preview

Abstract

В даній роботі проведено морфологічні та оптичні (еліпсометрія, спектри відбивання в діапазоні 400-750 нм та спектри відбивання в діапазоні 1,4-25 мкм) дослідження тонких плівок GaSe товщиною 15-60 нм на підкладках із монокристалічного кремнію n-Si(100) та n-Si(111) вирощених методом термічного напилення. Показано: зміну фізичних параметрів тонких плівок та наближення кристалічної і енергетичної зонної структури тонких плівок до монокристалів. Для плівок товщиною 60 нм максимум смуги відбивання пояснено непрямими оптичними переходами (оптична ширина забороненої зони E0 плівки GaSe) підсиленими екситонною взаємодією. В оптичних дослідженнях виявлено прояв квантових ефектів в приповерхневій області тонких плівок. Показано, що на початковому етапі росту має місце острівковий (трьохмірний) ріст плівок GaSe на підкладках n-Si (100) та n-Si (111).

Item Type: Article
Uncontrolled Keywords: GaSe; thin films; atomic force microscopy; reflection; ellipsometry
Subjects: Articles in journals > Фахові (входять до переліку фахових, затверджений МОН)
Divisions: Institutes > Institute of Society > Chair of Information Technologies and Mathematics > Chair of Computer Science
Depositing User: Оксана Степанівна Литвин
Date Deposited: 24 Jun 2014 08:41
Last Modified: 19 Jan 2017 10:01
URI: http://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/3339

Actions (login required)

View Item View Item