Конакова, Р.В. and Коломис, А.Ф. and Литвин, Оксана Степанівна and Охрименко, О.Б. and Стрельчук, В.В. and Светличный , А.В. and Линец, Л.Г. (2012) Transformation of the SiC/por-SiC/TiO2 structure during the rapid thermal annealing Физика и техника полупроводников, 46 (9). pp. 1244-1247. ISSN 0015-3222
Preview |
Text
R_Konakova_O_Kolomys_O_Lytyvn_etc_FTP_2012_v46_IS.pdf Download (370kB) | Preview |
Abstract
The investigation of surface morphology, Raman scattering and photoluminescence of the SiC/por-SiC/TiO2 structures before and after rapid thermal annealing was conducted. It is shown that rapid thermal annealing leads to appearance in the Raman spectra of the SiC/por-SiC/TiO2 structures the bands those are characteristic for the carbon compounds. Analysis of the photoluminescence spectra excited by radiation with energies lower than the 6H-SiC band gap shows that the appearance of photoluminescence in porous silicon carbide is due to the impurity states, which are formed on the surface by the products of chemical reactions during etching
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Uncontrolled Keywords: | silicon carbide; rapid thermal annealing; surface morphology; photoluminescence; Raman scattering |
| Subjects: | Це архівна тематика Київського університету імені Бориса Грінченка > Статті у журналах > Наукові (входять до інших наукометричних баз, крім перерахованих, мають ISSN, DOI, індекс цитування) |
| Divisions: | Це архівні підрозділи Київського університету імені Бориса Грінченка > Кафедра інформатики |
| Depositing User: | Оксана Степанівна Литвин |
| Date Deposited: | 26 Sep 2013 13:36 |
| Last Modified: | 25 Nov 2015 08:54 |
| URI: | https://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/2227 |
Actions (login required)
 |
View Item |