Бахтинов, А.П. and Водопьянов, В.Н. and Нетяга, В.В. and Кудринский, З.Р. and Литвин, Оксана Степанівна (2012) Surface morphology and electrical properties of hybrid structures fabricated on the basis of layered semiconductor with nanoscale ferroelectric inclusions Au/Ni/<C>/n-Ga2O3/p-GaSe<KNO3> Физика и техника полупроводников, 46 (3). pp. 356-368. ISSN 0015-3222
Preview |
Text
A_Bakhtinov_V_Vodopyanov_V_Netyaga_Z_Kudrynskyi_O_Lytvyn_FTP_2012_v46_IS.pdf Download (1MB) | Preview |
Abstract
Composite ”layered semiconductor−ferroelectric“ nanostructures (p-GaSe<KNO3>) have been investigated using atomic force microscopy. The current−voltage characteristics and the dependence of the impedance spectra on the bias voltage of hybrid structures were investigated at room temperature. We found that the current−voltage curve shows a resonant peak followed by a negative differential resistance slope. The current reaches a maximum at certain applied voltage due to effect of electric polarization switching in nanoscale 3D ferroelectric inclusions in the layered GaSe matrix. At high freguencies (f > 10 6 Hz) we
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Uncontrolled Keywords: | layered semiconductor; ferroelectric; nanoscale inclusions; current-voltage characteristic; atomic force microscopy |
| Subjects: | Це архівна тематика Київського університету імені Бориса Грінченка > Статті у журналах > Наукові (входять до інших наукометричних баз, крім перерахованих, мають ISSN, DOI, індекс цитування) |
| Divisions: | Це архівні підрозділи Київського університету імені Бориса Грінченка > Кафедра інформатики |
| Depositing User: | Оксана Степанівна Литвин |
| Date Deposited: | 11 Oct 2013 07:17 |
| Last Modified: | 25 Nov 2015 08:53 |
| URI: | https://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/2377 |
Actions (login required)
 |
View Item |