Bacherikov, Yu.Yu та Dmitruk, N.L. та Konakova, R.V. та Kolomys, O.F. та Okhrimenko, O.B. та Strelchuk, V.V. та Lytvyn, O.S. та Kapitanchuk, L.M. та Svetlichnyi, A.M. (2018) Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (2). с. 200-205. ISSN 1560-8034
Перегляд |
Текст
Yu_Bacherikov_R_Konakova_O_Lytvyn_etc_SPQEO_1v21n2-2018-FITU.pdf Download (659kB) | Перегляд |
Анотація
The comparative analysis of optical characteristics inherent to TiO2/SiC and TiO2/por-SiC/SiC structures has been performed. It has been shown that, in these structures regardless of the substrate structure, formation of TiO2 layers with approximately the same width 60 nm takes place. In this case the TiO2 film composition is close to the stoichiometric one. At the same time, the presence of an additional porous layer in the TiO2/por-SiC/SiC structure leads to blurring the oxide film – substrate interface but promotes an increase in the intensity of the Raman scattering signal from the oxide film.
| Тип елементу : | Стаття |
|---|---|
| Ключові слова: | thin titanium oxide films; SiC substrates; interface; porous layer |
| Типологія: | Це архівна тематика Київського університету імені Бориса Грінченка > Статті у наукометричних базах > Web of Science Це архівна тематика Київського університету імені Бориса Грінченка > Статті у журналах > Фахові (входять до переліку фахових, затверджений МОН) |
| Підрозділи: | Це архівні підрозділи Київського університету імені Бориса Грінченка > Кафедра комп'ютерних наук і математики |
| Користувач, що депонує: | Оксана Степанівна Литвин |
| Дата внесення: | 03 Вер 2018 09:07 |
| Останні зміни: | 15 Січ 2019 10:10 |
| URI: | https://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/24181 |
Actions (login required)
 |
Перегляд елементу |