Березовская, Н.И. and Бачериков, Ю.Ю. and Конакова, Р.В. and Охрименко, О.Б. and Литвин, Оксана Степанівна and Линец, Л.Г. and Светличный, А.М. (2014) Characterization of porous silicon carbide by absorption and photoluminescence Физика и техника полупроводников, 48 (8). pp. 1055-1058. ISSN 0015-3222
Preview |
Text
N_Berezovska_Yu_Bacherikov _R_ Konakov_О_Okhrimenko _O_Lytvyn_etc_FTP-2014_IS.pdf Download (393kB) | Preview |
Abstract
The paper presents the results of studies by atomic force microscopy, optical absorption spectroscopy and photoluminescence of porous silicon carbide, created by anodic etching. Analysis of the data indicates the absence of a porous layer of the cubic phase of SiC, and the appearance of photoluminescence por-SiC at excitation hνex ≤ Eg, due to the formation of centers of radiation which associated with impurity atoms and surface defects that occur during the anodic etching of the sample and subsequent treatment, revealing the pores.
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Uncontrolled Keywords: | porous silicon carbide; anodic etching; atomic force microscopy; photoluminescence |
| Subjects: | Це архівна тематика Київського університету імені Бориса Грінченка > Статті у журналах > Наукові (входять до інших наукометричних баз, крім перерахованих, мають ISSN, DOI, індекс цитування) |
| Divisions: | Це архівні підрозділи Київського університету імені Бориса Грінченка > Кафедра інформатики |
| Depositing User: | Оксана Степанівна Литвин |
| Date Deposited: | 25 Feb 2015 08:21 |
| Last Modified: | 16 Apr 2018 11:01 |
| URI: | https://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/5447 |
Actions (login required)
 |
View Item |