Positive GеSе3 photoresist for surface microprofiling at sensor structures development

Минько, В.І. and Шепелявий, П.Є. and Данько, В.А. and Індутний, І.З. and Луканюк, М.В. and Литвин, Оксана Степанівна (2013) Positive GеSе3 photoresist for surface microprofiling at sensor structures development In: II Міжнародна науково - практична конференція «Напівпровідникові матеріали, інформаційні технології та фотовольтаїка», 22 - 24 травня 2013 р, Украъна, Кременчук, Кременчуцький національний університет імені М ихайла Остроградського.

[img]
Preview
Text
V_Minko_P_Shepelyavyy_V_Danko_etc_NMITF-2013__IS.pdf

Download (337kB) | Preview

Abstract

The results of possible application of arsenic free GeSe3 chalcogenide compound as a positive photoresist for interference photolithography process reported.

Item Type: Conference or Workshop Item (Paper)
Uncontrolled Keywords: chalcogenide; GeSe3; photoresist; photolithography; atomic force microscopy
Subjects: Наукові конференції > Міжнародні
Divisions: Institutes > Institute of Society > Chair of Information Technologies and Mathematics > Chair of Computer Science
Depositing User: Оксана Степанівна Литвин
Date Deposited: 24 Jun 2014 09:08
Last Modified: 20 Nov 2015 12:35
URI: http://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/3476

Actions (login required)

View Item View Item