Kudrynskyi, Z.R. та Bakhtinov, A.P. та Vodopyanov, V.M. та Kovalyuk, Z.D. та Tovarnitskii, M.V. та Литвин, Оксана Степанівна (2015) Fabrication and characterization of PbSe nanostructures on van der Waals surfaces of GaSe layered semiconductor crystals Nanotechnology, 26 (46). с. 465601-1. ISSN 1361-6528
Повний текст недоступний з цього архіву. (Запит копії)Анотація
The growth morphology, composition and structure of PbSe nanostructures grown on the atomically smooth, clean, nanoporous and oxidized van der Waals (0001) surfaces of GaSe layered crystals were studied by means of atomic force microscopy, x-ray diffractometry,photoelectron spectroscopy and Raman spectroscopy. Semiconductor heterostructures were grown by the hot-wall technique in vacuum. Nanoporous GaSe substrates were fabricated by the thermal annealing of layered crystals in a molecular hydrogen atmosphere. The irradiation of the GaSe(0001) surface by UV radiation was used to fabricate thin Ga2O3 layers with thickness < 2 nm. It was found that the narrow gap semiconductor PbSe shows a tendency to form clusters with a square or rectangular symmetry on the cleanlow-energy (0001) GaSe surface, and (001)-oriented growth of PbSe thin films takes place on this surface. Using this growth technique it is possible to grow PbSe nanostructures with different morphologies: continuous epitaxial layers with thickness < 10 nm on the uncontaminated p-GaSe(0001) surfaces, homogeneous arrays of quantum dots with a high lateral density (more than 1011 cm−2) on the oxidized van der Waals (0001) surfaces and faceted square pillar-like nanostructures with a low lateral density (∼108 cm−2) on the nanoporous GaSe substrates. We exploit the ‘vapor–liquid–solid’ growth with low-melting metal (Ga) catalyst of PbSe crystalline branched nanostructures via a surface-defect-assisted mechanism.
| Тип елементу : | Стаття |
|---|---|
| Додаткова інформація: | DOI 10.1088/0957-4484/26/46/465601 |
| Ключові слова: | lead chalcogenidesж layered crystalsж quasi-van der Waals epitaxyж semiconductor heterostructures |
| Типологія: | Це архівна тематика Київського університету імені Бориса Грінченка > Статті у журналах > Наукові (входять до інших наукометричних баз, крім перерахованих, мають ISSN, DOI, індекс цитування) |
| Підрозділи: | Це архівні підрозділи Київського університету імені Бориса Грінченка > Кафедра інформатики |
| Користувач, що депонує: | Оксана Степанівна Литвин |
| Дата внесення: | 23 Лист 2015 12:58 |
| Останні зміни: | 11 Квіт 2018 07:14 |
| URI: | https://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/11037 |
Actions (login required)
 |
Перегляд елементу |