Ievtushenko, A.I. та Dranchuk, M.V. та Karpyna, V.A. та Литвин, Оксана Степанівна та Tkach, S.V. та Baturin, V.A. та Karpenko, O.Y. та Lashkarev, G.V. (2017) Electroactivity of Al in Al-Doped ZnO Films In: XVІ Міжнародна конференція з фізики і технології тонких плівок і наносистем, МКФТТПН-XVІ, м. Івано-Франківськ, Україна.
Перегляд |
Текст
O_Lytvyn_ICPTFN-2017_FITU.pdf Download (727kB) | Перегляд |
Анотація
The report devoted to study the influence of Al content on its electroactivity in ZnO thin films. Al-doped ZnO thin films were deposited by growth method on silicon substrates. The set of ZnO:Al films with concentrations of Al in the range from 0.2 to 1.2 % were grown. For samples characterization, XRD, EDX analysis, atomic force microscopy and transmittance measurements were used. The temperature dependences of electrical resistivity and Hall coefficient were investigated.
| Тип елементу : | Доповідь на конференції чи семінарі (Тези) |
|---|---|
| Ключові слова: | ZnO films; Al-doped; magnetron sputtering; Atomic force microscopy; XRD; EDX |
| Типологія: | Це архівна тематика Київського університету імені Бориса Грінченка > Наукові конференції > Міжнародні |
| Підрозділи: | Це архівні підрозділи Київського університету імені Бориса Грінченка > Кафедра комп'ютерних наук і математики |
| Користувач, що депонує: | Оксана Степанівна Литвин |
| Дата внесення: | 25 Вер 2017 10:27 |
| Останні зміни: | 16 Квіт 2018 11:30 |
| URI: | https://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/20208 |
Actions (login required)
 |
Перегляд елементу |