Ievtushenko, A.I. and Dranchuk, M.V. and Karpyna, V.A. and Литвин, Оксана Степанівна and Tkach, S.V. and Baturin, V.A. and Karpenko, O.Y. and Lashkarev, G.V. (2017) Electroactivity of Al in Al-Doped ZnO Films In: XVІ Міжнародна конференція з фізики і технології тонких плівок і наносистем, МКФТТПН-XVІ, м. Івано-Франківськ, Україна.
Preview |
Text
O_Lytvyn_ICPTFN-2017_FITU.pdf Download (727kB) | Preview |
Abstract
The report devoted to study the influence of Al content on its electroactivity in ZnO thin films. Al-doped ZnO thin films were deposited by growth method on silicon substrates. The set of ZnO:Al films with concentrations of Al in the range from 0.2 to 1.2 % were grown. For samples characterization, XRD, EDX analysis, atomic force microscopy and transmittance measurements were used. The temperature dependences of electrical resistivity and Hall coefficient were investigated.
| Item Type: | Conference or Workshop Item (Paper) |
|---|---|
| Uncontrolled Keywords: | ZnO films; Al-doped; magnetron sputtering; Atomic force microscopy; XRD; EDX |
| Subjects: | Це архівна тематика Київського університету імені Бориса Грінченка > Наукові конференції > Міжнародні |
| Divisions: | Це архівні підрозділи Київського університету імені Бориса Грінченка > Кафедра комп'ютерних наук і математики |
| Depositing User: | Оксана Степанівна Литвин |
| Date Deposited: | 25 Sep 2017 10:27 |
| Last Modified: | 16 Apr 2018 11:30 |
| URI: | https://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/20208 |
Actions (login required)
 |
View Item |