Тонкі плівки оксиду диспрозію, утворені при швидкому термічному відпалі на пористих підкладках SiC

Bacherikov, Yu.Yu та Konakova, R.V. та Okhrimenko, O.B. та Berezovska, N.I. та Lytvyn, O.S. та Kapitanchuk, L.M. та Svetlichnyi, A.M. (2018) Тонкі плівки оксиду диспрозію, утворені при швидкому термічному відпалі на пористих підкладках SiC Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (4). с. 360-364. ISSN 1560-8034

[thumbnail of Yu_Bacherikov_O_Lytvyn_SPQEO_2018_v21_FITU.pdf]
Перегляд
Текст
Yu_Bacherikov_O_Lytvyn_SPQEO_2018_v21_FITU.pdf

Download (1MB) | Перегляд
Офіційне посилання: http://journal-spqeo.org.ua/n4_2018/P360-364abstr....

Анотація

У цій роботі розглянуто вплив швидкого термічного відпалу (ШТВ) на властивості плівки Dy2O3, що утворюється на поверхні підкладки зі структурою por-SiC/SiC. Атомний склад досліджуваних плівок аналізували як функцію часу ШТВ. Показано, що метод ШТВ дозволяє отримувати тонкі плівки оксиду диспрозію зі складом, близьким до стехіометричного. У цьому випадку збільшення часу ШТВ призводить до поліпшення якості межі поділу плівка-підкладка і до збільшення оптичного пропускання структури Dy2O3/por-SiC/SiC.

Тип елементу : Стаття
Ключові слова: тонкі плівки оксиду диспрозію; швидкий термічний відпал; підкладки SiC; межа поділу; пористий шар
Типологія: Це архівна тематика Київського університету імені Бориса Грінченка > Статті у наукометричних базах > Web of Science
Підрозділи: Це архівні підрозділи Київського університету імені Бориса Грінченка > Кафедра комп'ютерних наук і математики
Користувач, що депонує: Оксана Степанівна Литвин
Дата внесення: 26 Лют 2019 11:57
Останні зміни: 26 Лют 2019 11:57
URI: https://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/26415

Actions (login required)

Перегляд елементу Перегляд елементу