Киселюк, М.П. та Власенко, А.И. та Генцарь, П.А. та Вуйчик, Н.В. та Заяц, Н.С. та Кругленко , И.В. та Литвин, Оксана Степанівна та Криськов, Ц.А. (2010) Оптичні властивості тонких плівок GaSe/n-Si(111) Физика и техника полупроводников, 44 (8). с. 1046-1049. ISSN 0015-3222
Перегляд |
Текст
M_Kysselyuk_O_Vlasenko_P_Gentsar_FTP_2010_v44_IS.PDF - Опублікована версія Download (834kB) | Перегляд |
Анотація
Проведено морфологічні та оптичні (еліпсометрія, спектри відбиття в діапазоні 400 - 750 нм і спектри відбиття в діапазоні 1.4 - 25 мкм) дослідження тонких плівок GaSe товщиною 15 - 60 нм , отриманих методом термічного напилення на підкладках з монокристалічного кремнію n - Si ( 111 ). Встановлено, що на початковому етапі росту має місце острівцевий (тривимірний) ріст GaSe на підкладках n - Si (111). Показано зміну фізичних параметрів плівок по мірі збільшення товщини і наближення з точки зору кристалічної та енергетичної зонної структури тонких плівок до монокристалів. Для плівок товщиною 60 нм максимум смуги відбиття пояснений непрямими оптичними переходами, підсиленими екситонною взаємодією . У результатах оптичних досліджень прогнозується прояв квантових ефектів в приповерхневій області тонких плівок.
| Тип елементу : | Стаття |
|---|---|
| Ключові слова: | тонкі плівки GaSe; еліпсометрія; морфологія; атомно-силова мікроскопія |
| Типологія: | Це архівна тематика Київського університету імені Бориса Грінченка > Статті у журналах > Наукові (входять до інших наукометричних баз, крім перерахованих, мають ISSN, DOI, індекс цитування) |
| Підрозділи: | Це архівні підрозділи Київського університету імені Бориса Грінченка > Кафедра інформатики |
| Користувач, що депонує: | Оксана Степанівна Литвин |
| Дата внесення: | 13 Січ 2014 11:08 |
| Останні зміни: | 20 Лист 2015 10:21 |
| URI: | https://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/3081 |
Actions (login required)
 |
Перегляд елементу |