Optical properties of thin films GaSe/n-Si(111)

Киселюк, М.П. and Власенко, А.И. and Генцарь, П.А. and Вуйчик, Н.В. and Заяц, Н.С. and Кругленко , И.В. and Литвин, Оксана Степанівна and Криськов, Ц.А. (2010) Optical properties of thin films GaSe/n-Si(111) Физика и техника полупроводников, 44 (8). pp. 1046-1049. ISSN 0015-3222

[thumbnail of M_Kysselyuk_O_Vlasenko_P_Gentsar_FTP_2010_v44_IS.PDF]
M_Kysselyuk_O_Vlasenko_P_Gentsar_FTP_2010_v44_IS.PDF - Published Version

Download (834kB) | Preview


GaSe thin films with thicknesses of 15 − 60 nm, grown on n-Si(111) single crystal substrates by the method of thermal deposition are investigated using the atomic force microscopy and the optical methods (ellipsometry, reflection spectra in the visible range 400 − 750 nm and in the infrared range 1.4 − 25 μm). It is determined that at the initial stage of film formation GaSe island (three-dimentional) growth on a n-Si(111) substrate occurs. It is shown the change of physical parameters of the thin films with thickness increase and approach of the thin films to GaSe single crystal as to the crystal structure and the energy band structure. For films 60 nm thick the maximum of the reflectance band is explained by indirect optical transitions strengthened by exciton interaction. In the optical research results an appearance of quantum effects in the near-surface region of the thin films is assumed.

Item Type: Article
Uncontrolled Keywords: GaSe thin films; ellipsometry; morphology; atomic force microscopy
Subjects: Це архівна тематика Київського університету імені Бориса Грінченка > Статті у журналах > Наукові (входять до інших наукометричних баз, крім перерахованих, мають ISSN, DOI, індекс цитування)
Divisions: Це архівні підрозділи Київського університету імені Бориса Грінченка > Кафедра інформатики
Depositing User: Оксана Степанівна Литвин
Date Deposited: 13 Jan 2014 11:08
Last Modified: 20 Nov 2015 10:21
URI: https://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/3081

Actions (login required)

View Item View Item