Ievtushenko, A.I. та Baibara, O. та Dranchuk, M.V. та Khyzhun, O. та Karpyna, V.A. та Bykov, O. та Литвин, Оксана Степанівна та Tkach, V.M. та Baturin, V.A. та Karpenko, O. (2022) Behavior of Al Impurity in ZnO Films: Influence of Al-Level Doping on Structure, X-Ray Photoelectron Spectroscopy and Transport Properties Physica Status Solidi (A). 2200523(1)-2200523(7). ISSN 1862-6319
Повний текст недоступний з цього архіву.Анотація
Transparent and conductive ZnO:Al thin films have been deposited by a reactive magnetron sputtering using the layer-by-layer growth method. The grown Al-doped ZnO films of about 100 nm thickness on Si and glass substrates, have been investigated with respect to the crystalline phase by X-ray diffraction (XRD), surface morphology by atomic force microscopy (AFM), chemical bonding and the electronic structure by measuring the XPS core-level and valence-band spectra of the ZnO:Al films. Influence of Al content in ZnO films on structure, optical and XPS spectra, transport parameters n, µ, ρ have been studied. The weak temperature dependence of conductivity in temperature range 77-300 K suggest that Al3+ is fully ionized impurity that provides the values of electron concentration in the range 7×1019 – 2.44×1020 cm-3. Al electroactivity in ZnO films is diminishing with Al content increases. The strong decrease in Al electroactivity from 60 % to 30 % is observed for ZnO:Al films within 0.93 - 1.22 at. % of Al that indicates on enhancement of concentration of acceptor native and/or neutral complex defects in ZnO.
| Тип елементу : | Стаття |
|---|---|
| Додаткова інформація: | https://doi.org/10.1002/pssa.202200523 |
| Ключові слова: | thin films; ZnO:Al; X-ray diffraction; atomic force microscopy; X-ray photoelectron spectroscopy |
| Типологія: | Це архівна тематика Київського університету імені Бориса Грінченка > Статті у наукометричних базах > Scopus Це архівна тематика Київського університету імені Бориса Грінченка > Статті у наукометричних базах > Web of Science |
| Підрозділи: | Це архівні підрозділи Київського університету імені Бориса Грінченка > Факультет інформаційних технологій та математики > Кафедра математики і фізики |
| Користувач, що депонує: | Оксана Степанівна Литвин |
| Дата внесення: | 27 Груд 2022 12:43 |
| Останні зміни: | 02 Січ 2023 18:34 |
| URI: | https://elibrary.kubg.edu.ua/id/eprint/42597 |
Actions (login required)
 |
Перегляд елементу |